چینی سرکاری میڈیا کے مطابق، چینی محققین کی ایک ٹیم نے ایک ایسی انقلابی فلیش میموری ڈیوائس تیار کی ہے جو غیر معمولی رفتار سے ڈیٹا ذخیرہ کرنے کی صلاحیت رکھتی ہے۔
400 پیکو سیکنڈ فی بٹ کی رفتار سے، اس ڈیوائس نے سیمی کنڈکٹر اسٹوریج کی کارکردگی کے لیے ایک نیا معیار قائم کیا ہے۔
PoX کہلانے والی یہ غیر فرار میموری ٹیکنالوجی تیز ترین فرار میموری اقسام، جیسے کہ سٹیٹک رینڈم-ایکسس میموری (SRAM) اور ڈائنامک رینڈم-ایکسس میموری (DRAM) سے بھی کہیں زیادہ تیز ہے، جنہیں عام طور پر ایک بٹ ذخیرہ کرنے میں 1 سے 10 نینو سیکنڈ درکار ہوتے ہیں۔ اس کے مقابلے میں، ایک پیکو سیکنڈ ایک سیکنڈ کا کھربواں حصہ یا ایک نینو سیکنڈ کا ہزارواں حصہ ہوتا ہے۔
اگرچہ فرار میموری رفتار میں بہترین ہے، لیکن بجلی بند ہونے کے بعد یہ ڈیٹا کھو دیتی ہے، جس کی وجہ سے یہ کم طاقت یا توانائی کے لحاظ سے حساس ایپلی کیشنز کے لیے نامناسب ہے۔
اس کے برعکس، غیر فرار میموری جیسے روایتی فلیش بجلی کے بغیر ڈیٹا برقرار رکھتی ہے لیکن جدید ٹیکنالوجیز، خاص طور پر آرٹیفیشل انٹیلیجنس (AI) سسٹمز کی تیز رفتار ڈیٹا تک رسائی کی ضروریات کو پورا کرنے سے قاصر ہے۔
شنگھائی کی فودان یونیورسٹی میں ریسرچ ٹیم نے دو جہتی ڈیرک گرافین-چینل فلیش میموری تیار کر کے اس حد بندی پر قابو پالیا ہے۔ اس اختراعی میکانزم نے انہیں غیر فرار ڈیٹا اسٹوریج اور بازیافت کی طویل عرصے سے قائم رفتار کی رکاوٹ کو توڑنے کے قابل بنایا ہے۔
ٹیم کے نتائج بدھ کے روز جرنل نیچر میں شائع ہوئے۔ لیڈ محقق ژو پینگ نے نوٹ کیا، “AI الگورتھم کا استعمال کرتے ہوئے عمل کی جانچ کے حالات کو بہتر بنا کر، ہم نے اس جدت کو نمایاں طور پر آگے بڑھایا ہے اور اس کی مستقبل کی ایپلی کیشنز کے لیے راہ ہموار کی ہے۔”
جرنل کے ایک پیئر ریویور نے اس کام کو “اصلی” قرار دیا اور مزید کہا کہ “نئی چیز ممکنہ مستقبل کی تیز رفتار فلیش میموری کو ڈیزائن کرنے کے لیے کافی ہے۔”
